- ArtikelnummerIRF530NSPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 505
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.69
- 1.150$0.69
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:920 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 70W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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