- ArtikelnummerCSD23202W10T
- MarkeTexas Instruments
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.48
- 250$0.29313
- 500$0.24887
- 750$0.2157
- 1.250$0.19357
Technische Details
- Serie:NexFET™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.2A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:53mOhm @ 500mA, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:900mV @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
- vgs (max):-6V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:512 pF @ 6 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:4-DSBGA (1x1)
- Paket / Koffer:4-UFBGA, DSBGA
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