- ArtikelnummerIPD180N10N3GBTMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Discontinued at Digi-Key
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:43A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 33A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 33µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):71W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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