- ArtikelnummerCSD17555Q5A
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungOXIDE SEMICONDUCTOR FET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 208.027
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.79
- 2.500$0.749
Technische Details
- Serie:NexFET™
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:24A (Ta), 100A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 25A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:1.9V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.65 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-VSONP (5x6)
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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