- ArtikelnummerFCD600N65S3R0
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 6A DPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.51975
- 2.500$0.51975
Technische Details
- Serie:SuperFET® III
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 600µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:465 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):54W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D-PAK (TO-252)
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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