Technische Details

• Serie:C3M™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:22A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
• rds on (max) @ id, vgs:155mOhm @ 15A, 15V
• vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 3mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21.5 nC @ 15 V
• vgs (max):+15V, -4V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 600 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):83W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK-7
• Paket / Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA