- ArtikelnummerIPN60R2K0PFD7SATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 3A SOT223
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.614
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.72
Technische Details
- Serie:CoolMOS™PFD7
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:2Ohm @ 500mA, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 30µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:134 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):6W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223
- Paket / Koffer:TO-261-3
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