- ArtikelnummerBSZ22DN20NS3GATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 4.541
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.08
- 5.000$0.4339
- 10.000$0.4176
- 25.000$0.41522
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:7A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:225mOhm @ 3.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 13µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):34W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TSDSON-8
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.