Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:780mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.7V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 610mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.6 nC @ 4.45 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:97 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):540mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Micro3™/SOT-23
• Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3