- ArtikelnummerBSZ0910NDXTMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungDIFFERENTIATED MOSFETS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3.420
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Preisgestaltung:
- 1$1.35
- 5.000$0.56502
- 10.000$0.54378
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9.5A (Ta), 25A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5.6nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:800pF @ 15V
- Leistung max:1.9W (Ta), 31W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-WISON-8
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