- ArtikelnummerBSC072N03LDGATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:11.5A
- rds on (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3500pF @ 15V
- Leistung max:57W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-4
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