Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:204A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:-

• vgs (th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:18000pF @ 10V
• Leistung max:1360W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module