- ArtikelnummerBSO211PNTMA1
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3.056
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.37336
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 P-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):20V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.7A
- rds on (max) @ id, vgs:67mOhm @ 4.7A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 25µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:23.9nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:920pF @ 15V
- Leistung max:2W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:P-DSO-8
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.