- ArtikelnummerBSC046N10NS3GATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17A (Ta), 100A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 50A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 120µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4500 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):156W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-7
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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