Technische Details

• Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:209A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.25mOhm @ 123A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 150µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:111 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6.904 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):104W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DirectFET™ Isometric ME
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric ME