- ArtikelnummerBSC046N02KSGAUMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.44
- 5.000$0.57949
- 10.000$0.55771
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:19A (Ta), 80A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 50A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 110µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27.6 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±12V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4100 pF @ 10 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 48W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-1
- Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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