Technische Details

• Serie:POWER MOS 7®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Fet-Funktion:Standard
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:22A
• rds on (max) @ id, vgs:420mOhm @ 11A, 10V

• vgs (th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:186nC @ 10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5200pF @ 25V
• Leistung max:390W
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:SP6-P