Technische Details

• Serie:-
• Paket:Box
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N Channel (Phase Leg)
• Fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:495A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:5.2mOhm @ 240A, 20V

• vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 6mA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1392nC @ 20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:18.1pF @ 1000V
• Leistung max:2.031kW (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:D3