- ArtikelnummerAFGY120T65SPD
- MarkeSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 3.017
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$9.94
Technische Details
- Serie:Automotive, AEC-Q101
- Paket:-
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):160 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):360 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.05V @ 15V, 120A
- Leistung max:714 W
- Schaltenergie:6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:125 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:40ns/80ns
- Testbedingung:400V, 120A, 5Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):107 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
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