- ArtikelnummerAPT70GR65B2SCD30
- MarkeMicrosemi
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- igbt-Typ:NPT
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):134 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):260 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 70A
- Leistung max:595 W
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:-
- Torgebühr:305 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:19ns/170ns
- Testbedingung:433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):-
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-3
- Gerätepaket des Lieferanten:T-MAX™ [B2]
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