Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased
• Strom - Kollektor (ic) (max):800 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):80 V
• Widerstand - Basis (r1):1 kOhms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):-

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:4000 @ 300mA, 2V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:1.2V @ 1mA, 500mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):1µA (ICBO)
• Frequenz - Übergang:-
• Leistung max:1 W
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:3-SSIP
• Gerätepaket des Lieferanten:-