Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased + Diode
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
• Widerstand - Basis (r1):22 kOhms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):22 kOhms

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 5mA, 5V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
• Frequenz - Übergang:250 MHz
• Leistung max:300 mW
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-92S