Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tape & Box (TB)
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:200mA (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 1A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:100 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):350mW (Tc)
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
• Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)