Technische Details

• Serie:HiPerFET™
• Paket:Tray
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1220A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.35mOhm @ 932A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 64mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2520 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Y3-Li
• Paket / Koffer:Y3-Li