Technische Details

• Serie:-
• Paket:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• Teilestatus:Obsolete
• Transistortyp:NPN - Pre-Biased
• Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
• Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
• Widerstand - Emitterbasis (r2):4.7 kOhms

• Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 5mA, 10V
• vce-Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
• Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
• Frequenz - Übergang:150 MHz
• Leistung max:300 mW
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:3-SSIP
• Gerätepaket des Lieferanten:NS-B1