Technische Details

• Serie:Gen-III
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
• Spannung - Gleichstrom rückwärts (vr) (max):650 V
• Strom - durchschnittlich gleichgerichtet (io):8A (DC)
• Spannung - Vorwärts (vf) (max) @ if:1.7 V @ 8 A
• Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)

• Reverse Recovery-Zeit (trr):0 ns
• Strom - Rückwärtsleckage @ vr:50 µA @ 650 V
• Kapazität @ vr, f:250pF @ 1V, 1MHz
• Befestigungsart:Through Hole
• Paket / Koffer:TO-220-2
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-2
• Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 175°C