- ArtikelnummerUF3SC065030D8S
- MarkeUnitedSiC
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 650V 18A 4DFN
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 90
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$18.02
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):12V
- rds on (max) @ id, vgs:42mOhm @ 20A, 12V
- vgs (th) (max) @ id:6V @ 10mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 12 V
- vgs (max):±25V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):179W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:4-DFN (8x8)
- Paket / Koffer:4-PowerTSFN
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