Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18.4A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):12V
• rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5A, 12V
• vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 10mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25.7 nC @ 12 V
• vgs (max):±25V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:738 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):166.7W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
• Paket / Koffer:TO-247-4