Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):15 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.6A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.7V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5.45 nC @ 10 V
• vgs (max):+2V, -15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):791mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)