- ArtikelnummerTPN22006NH,LQ
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.91
- 3.000$0.91
- 6.000$0.87862
Technische Details
- Serie:U-MOSVIII-H
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:22mOhm @ 4.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 100µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:710 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):700mW (Ta), 18W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
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