Technische Details

• Serie:U-MOSIII-H
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Last Time Buy
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.8A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 2.4A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:800 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):840mW (Ta)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PS-8 (2.9x2.4)
• Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead