Technische Details

• Serie:U-MOSIII
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:110mOhm @ 1.4A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 200µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:470 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
• Verlustleistung (max):330mW (Ta)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:VS-8 (2.9x1.5)
• Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead