- ArtikelnummerTP65H480G4JSG-TR
- MarkeTransphorm
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 328
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$3.7
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):8V
- rds on (max) @ id, vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
- vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 500µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8 V @ 8 nC
- vgs (max):±18V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:400 V @ 760 pF
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):13.2W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (5x6)
- Paket / Koffer:3-SMD, Flat Lead
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