Technische Details

• Serie:TP65H070L
• Paket:Tube
• Teilestatus:Discontinued at Digi-Key
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:25A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:85mOhm @ 16A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.8V @ 700µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 400 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):96W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (8x8)
• Paket / Koffer:3-PowerDFN