- ArtikelnummerTK9A90E,S4X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.221
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.32
- 50$1.86812
- 100$1.68126
- 500$1.30762
- 1.000$1.08345
- 2.500$1.04609
Technische Details
- Serie:π-MOSVIII
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):900 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 900µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):50W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.