- ArtikelnummerTK8A60W,S4VX
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$2.365
- 50$2.365
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:500mOhm @ 4A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.7V @ 400µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18.5 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:Super Junction
- Verlustleistung (max):30W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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