- ArtikelnummerTK65A10N1,S4X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$2.93
- 50$2.3597
- 100$2.12373
- 500$1.65178
- 1.000$1.36862
- 2.500$1.32143
Technische Details
- Serie:U-MOSVIII-H
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:65A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.8mOhm @ 32.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:81 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5400 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):45W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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