- ArtikelnummerTK58A06N1,S4X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.39
- 50$1.11532
- 100$0.9759
- 500$0.75683
- 1.000$0.59749
- 2.500$0.55766
Technische Details
- Serie:U-MOSVIII-H
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:58A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 29A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 500µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3400 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):35W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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