- ArtikelnummerTK35N65W,S1F
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 35A TO247
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 10
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$7.49
- 30$6.1418
- 120$5.5426
- 510$4.6438
- 1.020$4.1944
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:35A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 17.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 2.1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4100 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):270W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
- Paket / Koffer:TO-247-3
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