- ArtikelnummerTK35A08N1,S4X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.1
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- 100$0.76782
- 500$0.59545
- 1.000$0.4701
- 2.500$0.43876
Technische Details
- Serie:U-MOSVIII-H
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:35A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:12.2mOhm @ 17.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 300µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 40 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):30W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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