- ArtikelnummerTK17E65W,S1X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.998
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.5938
- 50$2.08545
- 100$1.9
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17.3A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:200mOhm @ 8.7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 900µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):165W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
- Paket / Koffer:TO-220-3
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