- ArtikelnummerTK170V65Z,LQ
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$3.5
Technische Details
- Serie:DTMOSVI
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:170mOhm @ 9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 730µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1635 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):150W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (8x8)
- Paket / Koffer:4-VSFN Exposed Pad
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