- ArtikelnummerTK10A80W,S4X
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$2.5244
- 50$2.0257
- 100$1.84564
- 500$1.49451
- 1.000$1.26044
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9.5A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:550mOhm @ 4.8A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 450µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1150 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):40W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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