- ArtikelnummerTK100L60W,VQ
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 100A TO3P
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 66
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$33.12
- 10$30.636
- 100$26.1648
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 50A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.7V @ 5mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:360 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:15000 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:Super Junction
- Verlustleistung (max):797W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(L)
- Paket / Koffer:TO-3PL
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