Technische Details

• Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:13A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 3A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA (Min)

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.6 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:283 pF @ 24 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.4W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PowerFlat™ (2x2)
• Paket / Koffer:6-PowerWDFN