Technische Details

• Serie:MDmesh™ V
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:28A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:110mOhm @ 14A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:62.5 nC @ 10 V
• vgs (max):±25V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):190W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:I2PAKFP (TO-281)
• Paket / Koffer:TO-262-3 Full Pack, I²Pak