- ArtikelnummerSTI10NM60N
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.418
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Preisgestaltung:
- 1$2.2
- 50$1.79809
- 100$1.62989
- 500$1.29347
Technische Details
- Serie:MDmesh™ II
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:550mOhm @ 4A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
- vgs (max):±25V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:540 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):70W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:I2PAK (TO-262)
- Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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