Technische Details

• Serie:DeepGATE™, STripFET™ VII
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:110A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 55A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:117 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8115 pF @ 50 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):250W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:H2Pak-2
• Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB