- ArtikelnummerSTH110N10F7-2
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N CH 100V 110A H2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 15.725
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$3.11
- 1.000$1.70825
- 2.000$1.60298
- 5.000$1.55034
Technische Details
- Serie:DeepGATE™, STripFET™ VII
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:110A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 55A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5117 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):150W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:H2Pak-2
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.