- ArtikelnummerSTGW75H65DFB2-4
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 75
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$5.62
Technische Details
- Serie:HB2
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):115 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):225 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 75A
- Leistung max:357 W
- Schaltenergie:992µJ (on), 766µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:207 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:22ns/121ns
- Testbedingung:400V, 75A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):88 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-4
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
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